Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSP125 E6327
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSP125 E6327-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
12850456
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BSP125 E6327 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
SIPMOS®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 94µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-SOT223-4
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
BSP125E6327T
BSP125E6327
SP000011100
BSP125 E6327-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BSP125H6327XTSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
27360
NUMERO DI PEZZO
BSP125H6327XTSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.28
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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